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画像はあくまで参考です。
KSD363RTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 120V 6A TO-220
Date Sheet
在庫數 33000
- 1+： $0.93964
- 10+： $0.88645
- 100+： $0.83628
- 500+： $0.78894
- 1000+： $0.74428
小計金額 $0.93964
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：120V
- Max Power Dissipation：40W
- Current Rating：6A
- Frequency：10MHz
- Base Part Number：KSD363
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：10MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：120V
- Max Collector Current：6A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 1A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA ICBO
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 100mA, 1A
- Transition Frequency：10MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：300V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：8V
- Height：14.2mm
- Length：9.9mm
- Width：4.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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