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画像はあくまで参考です。
BC850BLT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
Date Sheet
在庫數 161688
- 1+： $0.10885
- 10+： $0.10269
- 100+： $0.09688
- 500+： $0.09139
- 1000+： $0.08622
小計金額 $0.10885
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：45V
- Max Power Dissipation：225mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：100mA
- Frequency：100MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BC850*L
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：300mW
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：1.11mm
- Length：3.04mm
- Width：1.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 161688
- 1+： $0.10885
- 10+： $0.10269
- 100+： $0.09688
- 500+： $0.09139
- 1000+： $0.08622
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