日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FJV992FMTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
Date Sheet
在庫數 315660
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：50MHz
- Power Dissipation (Max)：300mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-120V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-50mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：FJV992
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：300mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：120V
- Max Collector Current：50mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：300 @ 1mA 6V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
- Transition Frequency：50MHz
- Max Breakdown Voltage：120V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-120V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：1.04mm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 315660
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
