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画像はあくまで参考です。
2N5551TFR
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Date Sheet
在庫數 12000
- 1+： $0.21693
- 10+： $0.20465
- 100+： $0.19307
- 500+： $0.18214
- 1000+： $0.17183
小計金額 $0.21693
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：160V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：80
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：160V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：600mA
- Frequency：300MHz
- Base Part Number：2N5551
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：300MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：160V
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：80 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：200mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：160V
- Frequency - Transition：100MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：180V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 12000
- 1+： $0.21693
- 10+： $0.20465
- 100+： $0.19307
- 500+： $0.18214
- 1000+： $0.17183
小計金額 $0.21693
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