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MMBT200
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
Date Sheet
在庫數 2277
- 1+： $0.07483
- 10+： $0.07060
- 100+： $0.06660
- 500+： $0.06283
- 1000+： $0.05927
小計金額 $0.07483
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-200mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：350mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-500mA
- Frequency：250MHz
- Base Part Number：MMBT200
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：250MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：400mV @ 20mA, 200mA
- Transition Frequency：250MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-6V
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2277
- 1+： $0.07483
- 10+： $0.07060
- 100+： $0.06660
- 500+： $0.06283
- 1000+： $0.05927
小計金額 $0.07483
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