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BUL1102EFP
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- STMICROELECTRONICS BUL1102EFP Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 450 V, 30 W, 4 A, 20 hFE
Date Sheet
在庫數 97
- 1+： $1.93673
- 10+： $1.82710
- 100+： $1.72368
- 500+： $1.62611
- 1000+： $1.53407
小計金額 $1.93673
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：450V
- Power Dissipation (Max)：30W
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：SINGLE
- Base Part Number：BUL1102
- Configuration：SINGLE
- Power Dissipation：70W
- Case Connection：ISOLATED
- Power - Max：30W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：450V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：12 @ 2A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 400mA, 2A
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 97
- 1+： $1.93673
- 10+： $1.82710
- 100+： $1.72368
- 500+： $1.62611
- 1000+： $1.53407
小計金額 $1.93673
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