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画像はあくまで参考です。
2SB1124S-TD-E
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-243AA
- GP BJT
Date Sheet
在庫數 123050
- 1+： $0.15037
- 10+： $0.14186
- 100+： $0.13383
- 500+： $0.12625
- 1000+： $0.11911
小計金額 $0.15037
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-243AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- HTS Code：8541.21.00.75
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Form：FLAT
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Base Part Number：2SB1124
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：140 @ 100mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 100mA, 2A
- Max Frequency：150MHz
- Transition Frequency：150MHz
- Frequency - Transition：150MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-6V
- Height：1.5mm
- Length：4.5mm
- Width：2.5mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 123050
- 1+： $0.15037
- 10+： $0.14186
- 100+： $0.13383
- 500+： $0.12625
- 1000+： $0.11911
小計金額 $0.15037
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