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FSB560
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT NPN 60V 2A 3-Pin SuperSOT T/R
Date Sheet
在庫數 5000
- 1+： $0.60090
- 10+： $0.56688
- 100+： $0.53480
- 500+： $0.50452
- 1000+： $0.47597
小計金額 $0.60090
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：350mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：2A
- Frequency：75MHz
- Base Part Number：FSB560
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：500mW
- Gain Bandwidth Product：75MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 500mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：350mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：75MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：940μm
- Length：2.92mm
- Width：1.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5000
- 1+： $0.60090
- 10+： $0.56688
- 100+： $0.53480
- 500+： $0.50452
- 1000+： $0.47597
小計金額 $0.60090
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