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画像はあくまで参考です。
FSB619
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Supplied as a Tape, ON Semi FSB619 NPN Transistor, 2 A, 50 V, 3-Pin SOT-23
Date Sheet
在庫數 30000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：320mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：300
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：50V
- Max Power Dissipation：500mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：2A
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：FSB619
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：500mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 1A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：320mV @ 50mA, 2A
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：940μm
- Length：2.92mm
- Width：1.4mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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