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画像はあくまで参考です。
MMBT5087
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23
Date Sheet
在庫數 3000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-300mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：40MHz
- Power Dissipation (Max)：350mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：250
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-50V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-100mA
- Frequency：40MHz
- Base Part Number：MMBT5087
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：250 @ 100μA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 1mA, 10mA
- Transition Frequency：40MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-3V
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Width：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
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