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画像はあくまで参考です。
MMBTA06
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
Date Sheet
在庫數 10
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Weight：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2000
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Termination：SMD/SMT
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：350mW
- Current Rating：500mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：MMBTA06
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Power - Max：350mW
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：80V
- Max Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Frequency - Transition：100MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：1.2mm
- Length：6.35mm
- Width：6.35mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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