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画像はあくまで参考です。
BC32740TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS PNP 45V 0.8A TO-92
Date Sheet
在庫數 53800
- 1+： $0.28896
- 10+： $0.27260
- 100+： $0.25717
- 500+： $0.24262
- 1000+： $0.22888
小計金額 $0.28896
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：100
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Published：2007
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-45V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：-800mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：BC327
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：45V
- Max Collector Current：800mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：250 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Width：4.19mm
- Length：5.2mm
- Height：5.33mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 53800
- 1+： $0.28896
- 10+： $0.27260
- 100+： $0.25717
- 500+： $0.24262
- 1000+： $0.22888
小計金額 $0.28896
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