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画像はあくまで参考です。
FJP13007H2TU
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 400V 8A TO-220
Date Sheet
在庫數 22000
- 1+： $2.20792
- 10+： $2.08294
- 100+： $1.96504
- 500+： $1.85381
- 1000+： $1.74888
小計金額 $2.20792
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：5
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：400V
- Max Power Dissipation：80W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：8A
- Frequency：4MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：FJP13007
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：80W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：4MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：26 @ 2A 5V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 2A, 8A
- Transition Frequency：4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：700V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：9V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 22000
- 1+： $2.20792
- 10+： $2.08294
- 100+： $1.96504
- 500+： $1.85381
- 1000+： $1.74888
小計金額 $2.20792
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