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画像はあくまで参考です。
TIP111G
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Trans Darlington NPN 80V 2A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
Date Sheet
在庫數 50
- 1+： $1.16402
- 10+： $1.09813
- 100+： $1.03597
- 500+： $0.97733
- 1000+： $0.92201
小計金額 $1.16402
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Power Dissipation (Max)：2W
- Number of Elements：1
- hFEMin：500
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：80V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：TIP11*
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：2mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
- Transition Frequency：440MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：15.75mm
- Length：10.28mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50
- 1+： $1.16402
- 10+： $1.09813
- 100+： $1.03597
- 500+： $0.97733
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小計金額 $1.16402
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