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画像はあくまで参考です。
BD679AG
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
Date Sheet
在庫數 142317
- 1+： $0.36731
- 10+： $0.34652
- 100+： $0.32690
- 500+： $0.30840
- 1000+： $0.29094
小計金額 $0.36731
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：750
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：1997
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Max Power Dissipation：40W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：BD679
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Voltage：80V
- Element Configuration：Single
- Current：2A
- Power Dissipation：40W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 2A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.8V @ 40mA, 2A
- Transition Frequency：1MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.04mm
- Length：7.74mm
- Width：2.66mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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