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画像はあくまで参考です。
2N6490G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- ON SEMICONDUCTOR - 2N6490G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFE
Date Sheet
在庫數 38658
- 1+： $1.06465
- 10+： $1.00439
- 100+： $0.94753
- 500+： $0.89390
- 1000+： $0.84330
小計金額 $1.06465
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：1.8W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：15A
- Frequency：5MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N6490
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.8W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：5MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 5A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3.5V @ 5A, 15A
- Transition Frequency：5MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：70V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：15.75mm
- Length：10.28mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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