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画像はあくまで参考です。
2N6491G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP 80V 15A TO220AB
Date Sheet
在庫數 23520
- 1+： $1.25894
- 10+： $1.18768
- 100+： $1.12046
- 500+： $1.05703
- 1000+： $0.99720
小計金額 $1.25894
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：7 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
- Voltage - Rated DC：-80V
- Max Power Dissipation：1.8W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：15A
- Frequency：5MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N6491
- Pin Count：3
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.8W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：5MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：15A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 5A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3.5V @ 5A, 15A
- Transition Frequency：5MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：90V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：15.75mm
- Length：10.28mm
- Width：4.82mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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