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画像はあくまで参考です。
TIP117G
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS PNP DARL 100V 2A TO220AB
Date Sheet
在庫數 1990
- 1+： $0.94927
- 10+： $0.89553
- 100+： $0.84484
- 500+： $0.79702
- 1000+： $0.75191
小計金額 $0.94927
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Power Dissipation (Max)：2W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
- Voltage - Rated DC：-100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：TIP11*
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：2mA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 8mA, 2A
- Transition Frequency：25MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：2A
- Height：15.748mm
- Length：10.2616mm
- Width：4.826mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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