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MJD31CT4
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 100V 3A DPAK
Date Sheet
在庫數 12500
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Power Dissipation (Max)：1.56W
- Number of Elements：1
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：3A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MJD31
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Qualification Status：Not Qualified
- Voltage：100V
- Element Configuration：Single
- Current：3A
- Power Dissipation：15W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：1.2V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- REACH SVHC：No SVHC
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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