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FJB102TM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK
Date Sheet
在庫數 48
- 1+： $1.58297
- 10+： $1.49337
- 100+： $1.40884
- 500+： $1.32909
- 1000+： $1.25386
小計金額 $1.58297
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Power Dissipation (Max)：80W
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2014
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：8A
- Base Part Number：FJB102
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：80W
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 80mA, 8A
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 48
- 1+： $1.58297
- 10+： $1.49337
- 100+： $1.40884
- 500+： $1.32909
- 1000+： $1.25386
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