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FJB3307DTM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- TRANS NPN 400V 8A D2PAK
Date Sheet
在庫數 6
- 1+： $1.24255
- 10+： $1.17222
- 100+： $1.10586
- 500+： $1.04327
- 1000+： $0.98421
小計金額 $1.24255
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.31247g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：3V
- Power Dissipation (Max)：1.72W
- Number of Elements：1
- hFEMin：8
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：FJB3307
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.72W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：5 @ 5A 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 2A, 8A
- Max Frequency：1MHz
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：700V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：9V
- Continuous Collector Current：8A
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：9.65mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
在庫數 6
- 1+： $1.24255
- 10+： $1.17222
- 100+： $1.10586
- 500+： $1.04327
- 1000+： $0.98421
小計金額 $1.24255
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