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画像はあくまで参考です。
BD678AS
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS PNP DARL 60V 4A TO-126
Date Sheet
在庫數 1218
- 1+： $0.38825
- 10+： $0.36628
- 100+： $0.34555
- 500+： $0.32599
- 1000+： $0.30753
小計金額 $0.38825
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.8V
- Power Dissipation (Max)：14W
- Number of Elements：1
- hFEMin：750
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-60V
- Current Rating：-4A
- Base Part Number：BD678
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power - Max：14W
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 2A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.8V @ 40mA, 2A
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Continuous Collector Current：-4A
- Height：11mm
- Length：8mm
- Width：3.25mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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