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画像はあくまで参考です。
BD681S
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
Date Sheet
在庫數 843
- 1+： $0.38732
- 10+： $0.36540
- 100+： $0.34471
- 500+： $0.32520
- 1000+： $0.30679
小計金額 $0.38732
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：750
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：40W
- Current Rating：4A
- Base Part Number：BD681
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：500μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
- Transition Frequency：10MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：4A
- Height：11mm
- Length：8mm
- Width：3.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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