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画像はあくまで参考です。
TIP30CTU
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ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Date Sheet
在庫數 33239
- 1+： $0.69950
- 10+： $0.65991
- 100+： $0.62255
- 500+： $0.58731
- 1000+： $0.55407
小計金額 $0.69950
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：36 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.214012g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-700mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2004
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-100V
- Max Power Dissipation：2W
- Current Rating：-1A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：TIP30
- Voltage：100V
- Element Configuration：Single
- Current：1A
- Power Dissipation：2W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：300μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 125mA, 1A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：16.51mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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