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画像はあくまで参考です。
TIP41B
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Date Sheet
在庫數 578
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：1.214g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2W
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- hFEMin：15
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Packaging：Bulk
- Operating Temperature：150°C TJ
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：6A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：TIP41
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：6A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：700μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 6A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
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