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画像はあくまで参考です。
MJD122TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Date Sheet
在庫數 3524
- 1+： $0.65339
- 10+： $0.61641
- 100+： $0.58152
- 500+： $0.54860
- 1000+： $0.51755
小計金額 $0.65339
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Mounting Type：Surface Mount
- Mount：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- hFEMin：1000
- Published：2009
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：1.75W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：8A
- Base Part Number：MJD122
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 4A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：4V @ 80mA, 8A
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Length：6.6mm
- Height：2.3mm
- Width：6.1mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3524
- 1+： $0.65339
- 10+： $0.61641
- 100+： $0.58152
- 500+： $0.54860
- 1000+： $0.51755
小計金額 $0.65339
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