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MJD3055TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS NPN 60V 10A DPAK
Date Sheet
在庫數 48500
- 1+： $0.60457
- 10+： $0.57035
- 100+： $0.53807
- 500+： $0.50761
- 1000+： $0.47888
小計金額 $0.60457
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- hFEMin：20
- Number of Elements：1
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：1.75W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：10A
- Frequency：2MHz
- Base Part Number：MJD3055
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.75W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：2MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：10A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 4A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：8V @ 3.3A, 10A
- Transition Frequency：2MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：70V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Width：6.1mm
- Height：2.3mm
- Length：6.6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 48500
- 1+： $0.60457
- 10+： $0.57035
- 100+： $0.53807
- 500+： $0.50761
- 1000+： $0.47888
小計金額 $0.60457
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