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画像はあくまで参考です。
FJBE2150DTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
Date Sheet
在庫數 4000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Number of Pins：3
- Weight：1.88g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：800V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-55°C~125°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：ESBC™
- Published：2015
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Max Power Dissipation：110W
- Terminal Form：GULL WING
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Power - Max：110W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：5MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：800V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 400mA 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 330mA, 1A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Transition Frequency：5MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：1.5kV
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Height：4.83mm
- Length：10.67mm
- Width：9.85mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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