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画像はあくまで参考です。
BCP68
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 20V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 18660
- 1+： $0.11295
- 10+： $0.10656
- 100+： $0.10053
- 500+： $0.09483
- 1000+： $0.08947
小計金額 $0.11295
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Number of Pins：4
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：20V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：1.5W
- Number of Elements：1
- hFEMin：85
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：20V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1A
- Base Part Number：BCP68
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.5W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：20V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：85 @ 500mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 100mA, 1A
- Max Breakdown Voltage：20V
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 18660
- 1+： $0.11295
- 10+： $0.10656
- 100+： $0.10053
- 500+： $0.09483
- 1000+： $0.08947
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