日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
BCP53
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- TRANS PNP 80V 1.2A SOT-223
Date Sheet
在庫數 4000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Number of Pins：3
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.2A
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：50MHz
- Power Dissipation (Max)：1.5W
- hFEMin：25
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-80V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-1.2A
- Base Part Number：BCP53
- JESD-30 Code：R-PDSO-G4
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.5W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：-80V
- Max Collector Current：1.5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 150mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：1.75mm
- Length：6.5mm
- Width：3.5mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
