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MMBTA55
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Date Sheet
在庫數 30
- 1+： $0.10018
- 10+： $0.09451
- 100+： $0.08916
- 500+： $0.08411
- 1000+： $0.07935
小計金額 $0.10018
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23-3
- Weight：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：500mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2004
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：-60V
- Max Power Dissipation：350mW
- Current Rating：-500mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：MMBTA55
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Power - Max：350mW
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：60V
- Max Frequency：50MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Frequency - Transition：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-4V
- Height：930μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30
- 1+： $0.10018
- 10+： $0.09451
- 100+： $0.08916
- 500+： $0.08411
- 1000+： $0.07935
小計金額 $0.10018
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