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画像はあくまで参考です。
KSH42CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
Date Sheet
在庫數 32363
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Power Dissipation (Max)：20W
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2016
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Terminal Form：GULL WING
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：KSH42
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.75W
- Power - Max：20W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：6A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 600mA, 6A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 32363
小計金額 $0.00000
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