日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
KSH210TM
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Date Sheet
在庫數 360000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Power Dissipation (Max)：1.4W
- Number of Elements：1
- hFEMin：45
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- HTS Code：8541.29.00.95
- Terminal Position：SINGLE
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：KSH210
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Configuration：SINGLE
- Power - Max：1.4W
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：1.8V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.8V @ 1A, 5A
- Transition Frequency：65MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Frequency - Transition：65MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：-40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-8V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 360000
小計金額 $0.00000
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
