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画像はあくまで参考です。
FMBA56
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $0.22898
- 10+： $0.21602
- 100+： $0.20379
- 500+： $0.19226
- 1000+： $0.18137
小計金額 $0.22898
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：2
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-80V
- Max Power Dissipation：700mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-500mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：FMBA56
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：700mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Transition Frequency：50MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-4V
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 15000
- 1+： $0.22898
- 10+： $0.21602
- 100+： $0.20379
- 500+： $0.19226
- 1000+： $0.18137
小計金額 $0.22898
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