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画像はあくまで参考です。
BDV64B
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-218-3
- TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218
Date Sheet
在庫數 273
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-218-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2002
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Voltage - Rated DC：-100V
- Max Power Dissipation：125W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：-10A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Pin Count：3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：PNP
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Power - Max：125W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：PNP - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：2V
- Max Collector Current：10A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 5A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 20mA, 5A
- Transition Frequency：0.1MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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