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画像はあくまで参考です。
MMBT5089
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar (bjt) Single Transistor, NPN, 25 V, 50 Mhz, 350 Mw, 100 ma, 400 Rohs Compliant: Yes
Date Sheet
在庫數 1758
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 20 hours ago)
- Factory Lead Time：39 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：SOT-23
- Weight：30mg
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Number of Elements：1
- hFEMin：400
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：25V
- Max Power Dissipation：350mW
- Current Rating：100mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：MMBT5089
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：350mW
- Power - Max：350mW
- Gain Bandwidth Product：50MHz
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：400 @ 100μA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 1mA, 10mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：25V
- Max Frequency：50MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Frequency - Transition：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4.5V
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- Height：1.2mm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1758
小計金額 $0.00000
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