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画像はあくまで参考です。
STS8DNF3LL
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R
Date Sheet
在庫數 1000
- 1+： $1.70769
- 10+： $1.61103
- 100+： $1.51984
- 500+： $1.43381
- 1000+： $1.35265
小計金額 $1.70769
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：NRND (Last Updated: 8 months ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ II
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Not For New Designs
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：20mOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：1.6W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：8A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS8DN
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：18 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：20m Ω @ 4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：800pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 5V
- Rise Time：32ns
- Fall Time (Typ)：11 ns
- Continuous Drain Current (ID)：8A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：6.35mm
- Length：12.7mm
- Width：6.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1000
- 1+： $1.70769
- 10+： $1.61103
- 100+： $1.51984
- 500+： $1.43381
- 1000+： $1.35265
小計金額 $1.70769
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