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STS9D8NH3LL
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 8A/9A 8SOIC
Date Sheet
在庫數 30000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：8A 9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：18 ns
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™
- JESD-609 Code：e4
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：22MOhm
- Terminal Finish：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：STS9D8
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：22m Ω @ 4A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：857pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10nC @ 4.5V
- Rise Time：32ns
- Fall Time (Typ)：8.5 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：8A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：150 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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