FDY3000NZ

ON Semiconductor
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SOT-563, SOT-666
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89
Date Sheet

在庫數 3000

1+： $0.57829
10+： $0.54555
100+： $0.51467
500+： $0.48554
1000+： $0.45806

小計金額 $0.57829

仕様よくある質問

Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
Factory Lead Time：10 Weeks
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：SOT-563, SOT-666
Number of Pins：6
Weight：32mg
Transistor Element Material：SILICON
Number of Elements：2
Turn Off Delay Time：8 ns
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
Series：PowerTrench®
Published：2007
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：6
Termination：SMD/SMT
ECCN Code：EAR99
Resistance：700MOhm
Terminal Finish：Tin (Sn)
Additional Feature：ESD PROTECTION
Max Power Dissipation：625mW
Terminal Form：FLAT
Number of Channels：2
Element Configuration：Dual
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：625mW
Turn On Delay Time：6 ns
Power - Max：446mW
FET Type：2 N-Channel (Dual)
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：700m Ω @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id：1.3V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：60pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.1nC @ 4.5V
Rise Time：8ns
Fall Time (Typ)：8 ns
Continuous Drain Current (ID)：600mA
Threshold Voltage：1V
Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
Drain to Source Breakdown Voltage：20V
Dual Supply Voltage：20V
FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Max Junction Temperature (Tj)：150°C
FET Feature：Logic Level Gate
Nominal Vgs：1 V
Height：700μm
Length：1.6mm
Width：1.2mm
REACH SVHC：No SVHC
Radiation Hardening：No
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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