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画像はあくまで参考です。
FDY302NZ
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SC-89, SOT-490
- MOSFET 20V Sgl N-Ch 2.5V Spec PwrTrench
Date Sheet
在庫數 2040
- 1+： $0.18255
- 10+： $0.17222
- 100+： $0.16247
- 500+： $0.15328
- 1000+： $0.14460
小計金額 $0.18255
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-89, SOT-490
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：600mA Ta
- Turn Off Delay Time：8 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.8V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Published：2017
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：FLAT
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：625mW
- Turn On Delay Time：6 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：300m Ω @ 600mA, 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：60pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：1.1nC @ 4.5V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±12V
- Fall Time (Typ)：2.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：600mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.6A
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Width：980μm
- Height：780μm
- Length：1.7mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2040
- 1+： $0.18255
- 10+： $0.17222
- 100+： $0.16247
- 500+： $0.15328
- 1000+： $0.14460
小計金額 $0.18255
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