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DMP3085LSD-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Date Sheet
在庫數 35046
- 1+： $0.32534
- 10+： $0.30692
- 100+： $0.28955
- 500+： $0.27316
- 1000+： $0.25770
小計金額 $0.32534
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：23 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：31 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Digi-Reel®
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Max Power Dissipation：1.1W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Reference Standard：AEC-Q101
- Number of Channels：2
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.1W
- Turn On Delay Time：4.8 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：70m Ω @ 5.3A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：563pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：11nC @ 10V
- Rise Time：5ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Fall Time (Typ)：14.6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：-3.9A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain-source On Resistance-Max：0.07Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.7mm
- Length：4.95mm
- Width：3.95mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 35046
- 1+： $0.32534
- 10+： $0.30692
- 100+： $0.28955
- 500+： $0.27316
- 1000+： $0.25770
小計金額 $0.32534
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