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画像はあくまで参考です。
FDY1002PZ
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
Date Sheet
在庫數 24000
- 1+： $0.74538
- 10+： $0.70319
- 100+： $0.66338
- 500+： $0.62583
- 1000+： $0.59041
小計金額 $0.74538
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-563, SOT-666
- Number of Pins：6
- Weight：32mg
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：500mOhm
- Max Power Dissipation：446mW
- Terminal Form：FLAT
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：625mW
- Turn On Delay Time：3.5 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：500m Ω @ 830mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：135pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3.1nC @ 4.5V
- Rise Time：2.9ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：2.9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：830mA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：0.83A
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：600μm
- Length：1.7mm
- Width：1.2mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 24000
- 1+： $0.74538
- 10+： $0.70319
- 100+： $0.66338
- 500+： $0.62583
- 1000+： $0.59041
小計金額 $0.74538
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