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画像はあくまで参考です。
FDY102PZ
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- SC-89, SOT-490
- MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
Date Sheet
在庫數 9000
- 1+： $0.29947
- 10+： $0.28252
- 100+： $0.26653
- 500+： $0.25144
- 1000+： $0.23721
小計金額 $0.29947
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SC-89, SOT-490
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：830mA Ta
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：1.5V 4.5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：625mW Ta
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：500MOhm
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：625mW
- Turn On Delay Time：3.5 ns
- FET Type：P-Channel
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：500m Ω @ 830mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：135pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：3.1nC @ 4.5V
- Rise Time：2.9ns
- Vgs (Max)：±8V
- Fall Time (Typ)：2.9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：830mA
- Threshold Voltage：-700mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：8V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Height：780μm
- Length：1.7mm
- Width：980μm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9000
- 1+： $0.29947
- 10+： $0.28252
- 100+： $0.26653
- 500+： $0.25144
- 1000+： $0.23721
小計金額 $0.29947
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