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画像はあくまで参考です。
FDG6306P
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
Date Sheet
在庫數 18000
- 1+： $0.27432
- 10+： $0.25879
- 100+： $0.24414
- 500+： $0.23032
- 1000+： $0.21729
小計金額 $0.27432
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Number of Pins：6
- Weight：28mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：6 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-20V
- Max Power Dissipation：300mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-600mA
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：300mW
- Turn On Delay Time：5.5 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：420m Ω @ 600mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：114pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2nC @ 4.5V
- Rise Time：14ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：14 ns
- Continuous Drain Current (ID)：600mA
- Threshold Voltage：-1.2V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Max Junction Temperature (Tj)：150°C
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.1mm
- Length：2mm
- Width：1.25mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 18000
- 1+： $0.27432
- 10+： $0.25879
- 100+： $0.24414
- 500+： $0.23032
- 1000+： $0.21729
小計金額 $0.27432
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