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FDS9945
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
Date Sheet
在庫數 7500
- 1+： $0.84751
- 10+： $0.79953
- 100+： $0.75428
- 500+： $0.71158
- 1000+： $0.67130
小計金額 $0.84751
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)
- Factory Lead Time：21 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：19 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：100MOhm
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：3.5A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：7 ns
- Power - Max：1W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：420pF @ 30V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 5V
- Rise Time：4.3ns
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.5A
- Threshold Voltage：2.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：2.5 V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 7500
- 1+： $0.84751
- 10+： $0.79953
- 100+： $0.75428
- 500+： $0.71158
- 1000+： $0.67130
小計金額 $0.84751
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