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FDS4897C
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Date Sheet
在庫數 6280
- 1+： $1.14963
- 10+： $1.08456
- 100+： $1.02317
- 500+： $0.96525
- 1000+： $0.91061
小計金額 $1.14963
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.2A 4.4A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：29MOhm
- Max Power Dissipation：900mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：29m Ω @ 6.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：760pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：20nC @ 10V
- Rise Time：15ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：18 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.4A
- Threshold Voltage：1.9V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：40V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 6280
- 1+： $1.14963
- 10+： $1.08456
- 100+： $1.02317
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小計金額 $1.14963
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