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FDS4935A
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- ON SEMICONDUCTOR - FDS4935A - DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC
Date Sheet
在庫數 3000
- 1+： $1.42506
- 10+： $1.34440
- 100+： $1.26830
- 500+： $1.19651
- 1000+： $1.12878
小計金額 $1.42506
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：48 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：23MOhm
- Voltage - Rated DC：-30V
- Max Power Dissipation：900mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-7A
- Voltage：30V
- Element Configuration：Dual
- Current：7A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.6W
- Turn On Delay Time：13 ns
- FET Type：2 P-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 7A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1233pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：21nC @ 5V
- Rise Time：10ns
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7A
- Threshold Voltage：-1.6V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：-30V
- Dual Supply Voltage：-30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：-1.6 V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 3000
- 1+： $1.42506
- 10+： $1.34440
- 100+： $1.26830
- 500+： $1.19651
- 1000+： $1.12878
小計金額 $1.42506
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