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画像はあくまで参考です。
STL40DN3LLH5
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STMicroelectronics
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerVDFN
- MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56
Date Sheet
在庫數 33000
- 1+： $1.37898
- 10+： $1.30093
- 100+： $1.22729
- 500+： $1.15782
- 1000+： $1.09228
小計金額 $1.37898
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerVDFN
- Number of Pins：5
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：13 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：STripFET™ V
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：18MOhm
- Max Power Dissipation：60W
- Terminal Form：FLAT
- Base Part Number：STL40
- Pin Count：8
- JESD-30 Code：R-PDSO-F6
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：60W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：4 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：18m Ω @ 5.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：475pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4.5nC @ 4.5V
- Rise Time：22ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Fall Time (Typ)：2.8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：40A
- Threshold Voltage：1.5V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：22V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：11A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：44A
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Height：850μm
- Length：4.75mm
- Width：5.75mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 33000
- 1+： $1.37898
- 10+： $1.30093
- 100+： $1.22729
- 500+： $1.15782
- 1000+： $1.09228
小計金額 $1.37898
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