日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
NDS9952A
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.9A 8-Pin SOIC N T/R
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $0.33827
- 10+： $0.31913
- 100+： $0.30106
- 500+： $0.28402
- 1000+： $0.26794
小計金額 $0.33827
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.7A 2.9A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：21 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- Termination：SMD/SMT
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：80MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：900mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：2.9A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：80m Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.8V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：320pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：25nC @ 10V
- Rise Time：21ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.7A
- Threshold Voltage：1.7V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：15A
- Dual Supply Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.7 V
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $0.33827
- 10+： $0.31913
- 100+： $0.30106
- 500+： $0.28402
- 1000+： $0.26794
小計金額 $0.33827
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
