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FDS6961A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC
Date Sheet
在庫數 38000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：10 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：230.4mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：7 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：90mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：2W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：3.5A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2W
- Turn On Delay Time：3 ns
- Power - Max：900mW
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：90m Ω @ 3.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：220pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：4nC @ 5V
- Rise Time：11ns
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.5A
- Threshold Voltage：1.8V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.8 V
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 38000
小計金額 $0.00000
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